晶圆隐形切片

在芯片和微芯片的生产中，需要将单个晶片与晶圆相分离。 隐形激光切割技术通过将激光聚焦在表面下方形成改性层，然后使用胶带膨胀器将芯片分离。 面临的常见挑战包括晶圆受到污染的风险、将改性层精确定位到XY轴上以实现尽可能窄的切割道，以及在晶圆上保持聚焦并追踪晶圆变形。 同时，需要尽可能高的扫描速度来确保高处理能力。 随着需求持续增加，隐形激光正成为大批量、微电子机械系统(MEMS)切片或更小、更复杂晶片的首选切割技术。 为满足激光切割工艺的需求，PI推出了在高速下高直线度的精密运动系统。